4H-SiC同質外延材料堆垛層錯缺陷的表征與研究
Characterization and Research on Stacking Faults and Defects of 4H-SiC Homogeneous Epitaxial Wafer
LU Weili FANG Yulong"LI ShuaiWANG QihengHAN MingruiWANG Bc (The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation)
Abstract: The stacking faults and defects of SiCepitaxial materials grown bya horizontal single wafer epitaxial CVD reactorwasstudied.Thethickness anddefectsofSiCepitaxial materialswerecharacterized,tested,andstatistically analyzedusing theFourier transform infrared spectrometer and surface defect analyzer.The generation mechanism and extensionmodelofstacking faultsofSiChomogeneous epitaxialmaterials werestudied,andtheinfluenceofSiCsubstrate TSD and BPD dislocation density on the stacking faults density was researched.Through optimization of epitaxial temperatureand improvementof bufer layer process,thedensityofstacking faults inepitaxial materials was reduced to less than 0.1/cm2 . High-quality SiC epitaxial materials can further meet the needs of various SiC power electronic devices.
Keywords:SiC;epitaxy; defects; stacking faults
碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導體材料的代表,相較于傳統(tǒng)硅材料,具有高10倍的擊穿電場強度、高2倍的電子飽和速度、高3倍的禁帶寬度和高3倍的熱導率,尤其適用與制作高頻、高壓、大功率的SiC電力電子器件[-3]。(剩余5616字)
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