皮秒激光燒蝕碳化硅的改性機理研究

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摘 要：碳化硅材料因其優(yōu)良的綜合性能而廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率的電子器件領(lǐng)域。然而，碳化硅的高硬度和化學(xué)惰性給目前的拋光技術(shù)帶來諸多挑戰(zhàn)。使用不同激光注量、掃描速度的激光對碳化硅晶片進行掃描，SEM結(jié)果顯示隨著能量注量的增加，材料的表面形貌歷經(jīng)了納米顆粒形成到顆粒變得無序再到顆粒融化的狀態(tài)。EDS和納米壓痕分析結(jié)果表明：氧氣參與了激光對碳化硅的光致化學(xué)反應(yīng)，輻照表面的彈性模量從347 GPa降低至103.82 GPa，剪切強度由20.90 GPa降低至17.25 GPa。（剩余7764字）