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p型MgZnOS透明導(dǎo)電薄膜及其p-n結(jié)型自驅(qū)動(dòng)紫外光電探測(cè)器研究 摘要：針對(duì)純 Z n O 半導(dǎo)體的 p 型摻雜難題，提出采用陰陽(yáng) 離子復(fù)合取代、協(xié)同調(diào)控 Z n O 合金電子能帶結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，進(jìn)行N受主摻雜的新思路，并采用脈沖激光沉積法成功制備了N摻雜p型透明導(dǎo)電薄膜。通過(guò)X射線衍射、透射光譜、...

一維ZnO核殼結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)構(gòu)建和光電功能 摘要：近幾十年來(lái)，一維氧化鋅納米材料由于其獨(dú)特的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)，在發(fā)光、探測(cè)、傳感、催化等眾多光電子學(xué)領(lǐng)域中展示出非凡的性能,引起了人們的廣泛關(guān)注和興趣。一維核殼納米結(jié)構(gòu)不僅可以實(shí)現(xiàn)表面修飾和功能材料集成，同時(shí)具有徑向局域和軸向傳輸?shù)墓?..
從單晶MgZnO到非晶Ga2O3:深紫外光電探測(cè)器的發(fā)展和選擇 摘要：寬帶隙半導(dǎo)體在研制無(wú)濾光片緊湊型日盲紫外探測(cè)器方面具有極大的發(fā)展?jié)摿?。本文結(jié)合本團(tuán)隊(duì)在分子束外延 M g Z n O 單晶薄膜和磁控濺射非晶薄膜以及相應(yīng)日盲紫外探測(cè)器的研究經(jīng)驗(yàn)，綜述了以 M gZ n0 和非晶為代表的寬帶隙氧...
Impact of Oxygen Vacancy on Performance of Amorphous InGaZnO Based Schottky Barrier Diode （1.21oo96， 2.Engineering，SoutheastUniversity，Nanjing21Oo96，）（204 Corresponding Authors，E-mail：wanglifeng@seu.edu.cn; x...
ZnO強(qiáng)耦合微腔中的激子極化激元 摘要： z n o 高達(dá) 6 0 m e V 的激子束縛能使其激子能在室溫甚至更高溫度下穩(wěn)定存在,這使得基于 z n O 強(qiáng)耦合微腔的激子極化激元器件可以突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體的低溫實(shí)驗(yàn)條件限制，是近十年來(lái)研究者所青睞的激子極化激元研究材料。本文...
稀土摻雜金屬氧化物薄膜晶體管研究進(jìn)展 摘要：金屬氧化物薄膜晶體管（Metal oxide thin film transistors，MOTFTs)因其具有較高的載流子遷移率和較好的電學(xué)穩(wěn)定性，在大尺寸發(fā)光顯示驅(qū)動(dòng)背板應(yīng)用方面極具潛力。此外，MOTFTs與非晶硅薄膜晶體管的制備...

Efficient Perovskite Quantum Dots Light-emitting Diodes: Challenges and Optimization KeyLaboratoryforCarbon-basedFunctionalMaterials&Devices，InstituteofFunctionalNano&SoftMaterials， SoochowUniversi...

上轉(zhuǎn)換納米顆粒的手性構(gòu)建方法及應(yīng)用進(jìn)展 摘要：如果一個(gè)物體（或分子）與其鏡像無(wú)法通過(guò)旋轉(zhuǎn)或平移完全重合，則稱其為手性物體（或分子）。手性是自然界中普遍存在的基本特征。手性材料具備圓二色性（CD）、圓偏振發(fā)光（CPL）等獨(dú)特的光學(xué)性質(zhì)，在光催化、生物傳感、光學(xué)器件等多個(gè)領(lǐng)域具有良好...
Complexation and Fluorescence Enhancement ofBay-site CarboxylModifiedPeryleneDimidewithCalciumIon （1.，CollgeofMaterialsScienceandEngineering，，Shanghai 201620，China； 2. ，，Yunfu52730o，China） CorrespondingAuthors，E-mail...
Bi激活石榴石藍(lán)青光發(fā)光材料的發(fā)光性能 摘要：藍(lán)青光發(fā)光材料在實(shí)現(xiàn)熒光粉轉(zhuǎn)換型LED全光譜光源中發(fā)揮著重要作用。本文采用高溫固相法制備了Bi摻雜石榴石結(jié)構(gòu)的固溶體發(fā)光材料。通過(guò)XRD結(jié)構(gòu)精修、元素分析、光致光譜等表征對(duì)材料結(jié)構(gòu)、組成和發(fā)光性能進(jìn)行了全面分析。：Bi能夠在紫...
Sr3AIO4F:Eu3+,Dy3+,Na+發(fā)光材料性能 摘要：采用高溫固相法制備了一系列 +紅色發(fā)光材料。使用X射線衍射、掃描電子顯微鏡、光譜儀等設(shè)備對(duì) 紅色發(fā)光材料進(jìn)行檢測(cè)。、Dy和Na的濃度（摩爾分?jǐn)?shù)）分別為 1 1 % . 5 % 和 4 % 時(shí)樣品的發(fā)光強(qiáng)度最高。導(dǎo)致和 ...

光輔助非水系鋰氧氣電池：光電陰極的制備與展望 Photo-assisted Non-aqueous Lithium-oxygen Batteries： Preparation and Prospect of Photocathode Materials （1.， University，...
埋底界面的原位修飾制備高效鈣鈦礦太陽(yáng)電池及組件 摘要：反式鈣鈦礦太陽(yáng)電池埋底界面的缺陷是制約太陽(yáng)電池器件效率和穩(wěn)定性的重要原因，使用有機(jī)小分子鈍化界面可以有效減少界面的缺陷，降低載流子的非輻射復(fù)合。本文通過(guò)將一種鈍化材料與自組裝空穴傳輸材料結(jié)合，一步實(shí)現(xiàn)具有二維鈣鈦礦材料鈍化的埋底界面，...
基于Sb2O3可飽和吸收體的2.8 μ m被動(dòng)調(diào)A激光器 摘要：提出了一種采用 9 7 8 n m 側(cè)泵的基于氧化銻可飽和吸收體摻餌被動(dòng)調(diào)Q激光器。采用垂直微間距升華法（chemical reactionassisted vertical micro sublimationmethod,CVMS...

基于N-苯基馬來(lái)酰亞胺改性的量子點(diǎn)光刻膠制備色轉(zhuǎn)換像素化薄膜 摘要：光刻法是一種制備微型發(fā)光二極管(Micro-LED)像素化色轉(zhuǎn)換薄膜的可靠方案，但存在量子點(diǎn)與光刻膠兼容性的難題。本文開(kāi)發(fā)了一種通過(guò)N-苯基馬來(lái)酰亞胺(NPMI)側(cè)鏈改性的丙烯酸樹(shù)脂制備兼容量子點(diǎn)的光刻膠，側(cè)鏈基團(tuán)上 C =0 鍵能與...

比率熒光碳點(diǎn)對(duì)部分水解聚丙烯酰胺精準(zhǔn)識(shí)別與降解 摘要：以L-色氨酸、葉酸和氯化銅為原料，采用自下而上的方法水熱合成了特異性識(shí)別部分水解聚丙烯酰胺(HPAM)的銅摻雜碳點(diǎn)（ C u - C D s ）。采用透射電子顯微鏡、X射線光電子能譜和穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜等表征方法對(duì)碳點(diǎn)結(jié)構(gòu)、HPAM識(shí)別...

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