p型MgZnOS透明導(dǎo)電薄膜及其p-n結(jié)型自驅(qū)動紫外光電探測器研究

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摘要：針對純 Z n O 半導(dǎo)體的 p 型摻雜難題，提出采用陰 陽 離子復(fù)合取代、協(xié)同調(diào)控 Z n O 合金電子能帶結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，進行N受主摻雜的新思路，并采用脈沖激光沉積法成功制備了N摻雜p型透明導(dǎo)電 薄膜。通過X射線衍射、透射光譜、霍爾效應(yīng)、X射線光電子能譜和二次離子質(zhì)譜測試分析了薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、光電學(xué)性質(zhì)及化學(xué)組分。（剩余19410字）