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用于高效光提取的深紫外LED封裝體設(shè)計(jì)與優(yōu)化 中圖分類號：TN312.8 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：ADOI：10.37188/CJL.20240321 CSTR：32170.14.CJL.20240321 摘要：針對AIGaN基深紫外LED出光效率低的難題，設(shè)計(jì)了氟樹脂緊密粘合的石英透鏡封裝結(jié)構(gòu)，...

氧鋅鎂：從材料特性到紫外探測應(yīng)用 摘要：氧鋅鎂（ Δ [ n M g O ] 是由寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鋅 ( Z n O 和氧化鎂 ( M g O ) 構(gòu)成的三元合金，作為直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體，其禁帶寬度理論上可在 z n O 的 3 . 3 7 e V 和 M g O ...
ZnO基器件中的負(fù)光電導(dǎo)特性研究 摘要：作為第三代半導(dǎo)體電子器件中最著名的n型金屬氧化物之一，氧化鋅因具有高檢出率、高光學(xué)增益、高靈敏度等特點(diǎn)常用于高性能紫外光電探測器的構(gòu)筑。氧化鋅的光電導(dǎo)行為強(qiáng)烈依賴于其表界面性質(zhì)和導(dǎo)帶附近的缺陷態(tài)對光生載流子的捕獲和去捕獲。研究發(fā)現(xiàn)，由...
ZnO基透明導(dǎo)電薄膜 摘要： z n o 是一種典型的第三代半導(dǎo)體材料，寬禁寬度 3 . 3 7 e V 。本征 Z n O 是一種n型半導(dǎo)體，采用施主元素?fù)诫s技術(shù)可以顯著提升其n型導(dǎo)電特性。 z n O 基透明導(dǎo)電薄膜具有原料來源豐富、制備方法多樣、可室溫生...
氧化鋅基光電化學(xué)傳感器研究進(jìn)展 摘要：光電化學(xué)(PEC)傳感器具有背景信號低、響應(yīng)快、靈敏度高的優(yōu)點(diǎn)，在環(huán)境保護(hù)和公共健康方面發(fā)揮著重要作用。氧化鋅（ Z n O ) 作為一種載流子濃度高、生物相容性良好，并且結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的光電材料，在PEC傳感領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文綜述了...
X射線成像閃爍體光產(chǎn)額測量技術(shù)與優(yōu)化方法 摘要：閃爍成像屏是X射線成像技術(shù)的核心部件,其光產(chǎn)額的精確測定對于提升成像系統(tǒng)的空間分辨率和推動新型閃爍體的研發(fā)具有至關(guān)重要的作用。本文首先概述了X射線成像技術(shù)的基本原理,隨后系統(tǒng)地綜述了當(dāng)前X射線成像閃爍體光產(chǎn)額測量的主要方法。這些方法既...
鈣鈦礦材料的高能輻照穩(wěn)定性及損傷機(jī)制研究進(jìn)展 摘要：輻照損傷是醫(yī)療影像、大科學(xué)裝置、航天工業(yè)等各領(lǐng)域面臨的共性核心問題，材料的高能輻照穩(wěn)定性和損傷機(jī)理研究是其走向?qū)嶋H應(yīng)用必不可少的環(huán)節(jié)。新型鈣鈦礦半導(dǎo)體材料在高能輻射探測領(lǐng)域極具應(yīng)用前景,但其高能輻照穩(wěn)定性仍然存在爭議，輻照損傷機(jī)理尚不...

BN量子點(diǎn)與雙戊酸協(xié)同誘導(dǎo)生長的Rec.2020標(biāo)準(zhǔn)綠光CsPbBr納米晶復(fù)合材料 摘要：鈣鈦礦納米晶具備出色的綠光發(fā)光特性和低成本制備優(yōu)勢，是有望滿足超高清顯示色域的重要材料。然而，由于元素成分比例和尺寸控制等多因素影響，鈣鈦礦納米晶難以在 5 3 0 n m 附近形成窄綠光發(fā)射，從而與 R e c. 2 0 2...

錫基金屬鹵化物鈣鈦礦：合成、發(fā)光性能與LED應(yīng)用 摘要：發(fā)光二極管是新型顯示技術(shù)的核心部件,更是新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)之首。鈣鈦礦發(fā)光二極管作為最新興起的顯示技術(shù)，具有高色純度、廣色域、加工工藝簡單、低成本等優(yōu)勢，是國內(nèi)外光電器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。然而，需要使用對環(huán)境有害的鹵化鉛鈣鈦礦才能實(shí)現(xiàn)高...
AIGaAs插人結(jié)構(gòu)對InAIGaAs/AIGaAs多量子阱發(fā)光特性的影響 摘要：InAIGaAs/AIGaAs多量子阱(MQWs)因其較寬的光譜范圍,在近紅外及可見光區(qū)域受到越來越多的關(guān)注，并已經(jīng)成為新興的研究熱點(diǎn)。本研究采用MOCVD生長技術(shù)制備InAIGaAs/AIGaAs多量子阱材料，依據(jù)選取插入層(ISL...
NaGdMgTeO6:eU3+熒光粉的光致發(fā)光及其多功能應(yīng)用 摘要：通過高溫固相法成功合成了紅色熒光粉，并采用X射線衍射（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）、漫反射光譜（DR）、光致發(fā)光光譜（PL）、電致發(fā)光光譜（EL）等多種測試手段對其結(jié)構(gòu)形貌、光致發(fā)光特性進(jìn)行了詳細(xì)表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在 3 ...
新型石榴石基綠色陶瓷顏料Y3Ga3MgSiO12:cR3+的合成及顏色性能 CorrespondingAuthor，E-mail：wangxuejiao@bhu.edu.cn Abstract：Novel green ceramic pigments （ x = 0 - 0 . 2 ）were successfu...

大面積高功率940nm光子晶體面發(fā)射激光器 摘要：光子晶體面發(fā)射激光器(PCSEL)可以利用帶邊諧振效應(yīng)實(shí)現(xiàn)大面積相干振蕩,是一種能實(shí)現(xiàn)高亮度單模激射的新型半導(dǎo)體激光器。這使得PCSEL在激光雷達(dá)與3D傳感等領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。本文設(shè)計(jì)了一種正方單晶格非對稱錐形空氣孔結(jié)構(gòu)的PCS...
雙分子鈍化埋底界面制備高效鈣鈦礦太陽能電池 摘要：鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）的電子收集特性是影響器件性能的關(guān)鍵因素之一?；瘜W(xué)浴沉積法制備的二氧化錫是PSCs常見的電子傳輸層材料，但是，其表面常存在大量氧空位缺陷，在鈣鈦礦埋底界面處造成非輻射復(fù)合損失。本文利用四氯化錫（和...
1550nmVCSEL硅基光電集成變跡光柵耦合器設(shè)計(jì)及人射角方向性優(yōu)化研究 摘要：為了打破均勻光柵對稱結(jié)構(gòu)的限制,進(jìn)一步提高硅基光電集成片上光源的耦合效率。本研究提出基于絕緣襯底上硅結(jié)構(gòu)的高效遞進(jìn)式光柵耦合器的設(shè)計(jì)，適用于垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)鍵合到硅光子集成電路，降低了VCSEL光電集成對鍵合角度的工藝...

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