含包覆層型局域共振聲子晶體的帶隙特性研究

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摘 要：民用飛機(jī)低頻減振降噪是目前亟待解決的實(shí)際問題，含包覆層型局域共振聲子晶體具有出色的低頻降噪性能，掌握其帶隙特性就成為解決問題的關(guān)鍵步驟。本文在單包覆層聲子晶體基本模型的基礎(chǔ)上，對(duì)比分析了相同工況下雙包覆層聲子晶體的能帶結(jié)構(gòu)，對(duì)帶隙的上下邊界處進(jìn)行了模態(tài)分析，闡述了雙包覆層聲子晶體產(chǎn)生低頻帶隙的原因，進(jìn)一步研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)于含包覆層型聲子晶體帶隙的影響情況，發(fā)現(xiàn)對(duì)于單包覆層聲子晶體，隨著包覆層厚度的增加，帶隙整體向低頻移動(dòng)，帶隙數(shù)量增多，帶寬變化不大；對(duì)于雙包覆層聲子晶體，隨著外包覆層厚度與內(nèi)包覆層厚度比值的增大，雙包覆層聲子晶體的帶隙整體向低頻移動(dòng)，第一帶隙的起始頻率逐漸降低，帶寬逐漸減小，第二帶隙逐漸打開，并且隨著厚度比的增大而增大。（剩余1498字）