結(jié)電容對(duì)功率MOSFET關(guān)斷特性的影響分析
——Analysis of influence of junction capacitance on turn off characteristics of power MOSFET
摘 要:為了分析功率MOSFET關(guān)斷特性,本文基于結(jié)電容的概念探討了功率MOSFET關(guān)斷過(guò)程的機(jī)理并推導(dǎo)了數(shù)學(xué)模型,表明了MOSFET關(guān)斷過(guò)程存在“柵控”和“容控”兩種控制模式;建立了功率MOSFET的Spice模型,仿真結(jié)果對(duì)數(shù)學(xué)模型進(jìn)行了驗(yàn)證;設(shè)計(jì)了雙脈沖實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模型和仿真結(jié)果一致。(剩余4089字)
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- 電子產(chǎn)品世界
- 2022年10期
目錄
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