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摘要：利用光學(xué)顯微鏡對采用錐臺托盤及傳統(tǒng)平托盤生長的晶體進行位錯腐蝕觀察，發(fā)現(xiàn)錐臺托盤生長的晶體上半部分位錯分布與平托盤生長的晶體相似，部分區(qū)域位錯密度低于平托盤生長的晶體。對于錐臺托盤生長的晶體下半部分，其柱面位錯缺陷很少，位錯集中在與錐臺直接接觸的下錐面。下錐面的存在阻止了柱面底部新位錯的形成，為柱面生長提供了更好的生長條件。（剩余11830字）
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帶錐臺托盤KH2PO4晶體生長與位錯分布
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