一種基于CMOS工藝的低相噪壓控振蕩器的設計

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摘  要：基于標準CMOS工藝，設計了一款適用于無線通信的基于標準CMOS工藝的頻帶壓控振蕩器，該芯片的中心頻率2.8 GHz，芯片面積0.5×0.5 mm2，典型功耗為11 mA@3.3 V。測試結(jié)果表明，在0.8 V～2.5 V的電壓調(diào)節(jié)范圍內(nèi)，壓控振蕩器輸出頻率范圍為2.3 GHz ～3.3 GHz，通過電容陣列實現(xiàn)了1 GHz的調(diào)諧帶寬，在2.8 GHz頻率時的典型相位噪聲為-81 dBc/Hz@10 kHz，壓控振蕩器的典型增益為40 MHz/V。（剩余5996字）