基于超景深算法的圓偏場瞬時(shí)光彈相移法拼接測量應(yīng)用研究

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關(guān)鍵詞：測量；應(yīng)力；圖像處理；光學(xué)儀器；雙折射

中圖分類號：TN 209 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A

引言

碳化硅因有高熱導(dǎo)率、高強(qiáng)度、耐高溫和抗輻射等優(yōu)良的性能而被廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，但碳化硅晶圓在制作過程中因微管，位錯(cuò)等缺陷會產(chǎn)生殘余應(yīng)力，導(dǎo)致成品質(zhì)量及良品率的降低，因此對碳化硅晶圓進(jìn)行高精度殘余應(yīng)力測量是很有必要的一道工序。（剩余2844字）