光學(xué)儀器

2024年04期

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本刊通過學(xué)術(shù)交流、科技信息傳播和成果推廣，促進(jìn)我國光學(xué)工業(yè)發(fā)展并適應(yīng)市場經(jīng)濟(jì)需要，為廣大讀者服務(wù)。本刊內(nèi)容涉及各類光學(xué)儀... 展開

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雙月刊

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學(xué)術(shù)

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基于SPR的重金屬離子檢測技術(shù)研究進(jìn)展 摘要：重金屬離子濃度的檢測對于人體健康和環(huán)境科學(xué)等領(lǐng)域具有重要意義。與其它離子檢測方法相比，表面等離子體共振（surface plasmon resonance，SPR）技術(shù)具有無標(biāo)記，靈敏度高和檢測限低等優(yōu)點(diǎn)，為重金屬離子監(jiān)測領(lǐng)域帶來了新...
掃描式眼波前像差系統(tǒng)的夏克-哈特曼波前傳感器質(zhì)心探測研究 摘要：針對掃描式眼波前像差系統(tǒng)難以消除所有視角方向系統(tǒng)噪聲的問題，提出了一種在大噪聲條件下準(zhǔn)確定位光斑陣列的質(zhì)心并進(jìn)行波前重建的方法。首先使用中值濾波與數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)方法對圖像進(jìn)行全局處理；接著使用改進(jìn)的最大間類方差方法選取每個(gè)子孔徑的閾值；然...
基于壓縮全息的散射介質(zhì)中三維粒子定位 摘要：在三維空間中，粒子作為物質(zhì)分布的基本單元，其精確定位對于醫(yī)療、環(huán)境監(jiān)測、燃燒過程分析以及航空航天研究等領(lǐng)域至關(guān)重要。然而，散射介質(zhì)中的粒子檢測常面臨分辨率不足和定位難的問題。因此開發(fā)了一種新的檢測技術(shù)，該技術(shù)基于自動聚焦壓縮全息原理，...

PQ/PMMA 聚合物應(yīng)用于全息光存儲的皺縮特性及影響研究 摘要：基于全息光柵的角度優(yōu)化工藝提升光存儲性能的方法，相比引入新型組分改善存儲材料，更簡單且具有一定適用性。采用了熱致聚合法制備菲醌摻雜的聚甲基丙烯酸甲酯（PQ/PMMA）光致聚合物，研究其在全息存儲系統(tǒng)中材料厚度、記錄光強(qiáng)及干涉夾角下的衍...
用于干涉計(jì)算成像的硅交叉混頻器設(shè)計(jì) 摘要：基于絕緣體上硅平臺，設(shè)計(jì)并制作了一種用于光學(xué)干涉計(jì)算成像的硅交叉混頻器，利用時(shí)域有限差分法對多模干涉耦合器和整個(gè)器件的結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化仿真。仿真結(jié)果表明，輸出端口具有良好的透過率。通過光刻工藝制備芯片并進(jìn)行封裝后，采用外加電壓的方式對混頻...
用于大腦疲勞檢測的INIRS系統(tǒng)設(shè)計(jì) 摘要：大腦疲勞的癥狀體現(xiàn)在認(rèn)知能力的下降，認(rèn)知功能主要由前額葉皮層（PFC）調(diào)控。功能性近紅外腦成像技術(shù)（fNIRS）能夠測量一段時(shí)間內(nèi)的大腦血氧濃度變化，從而間接反映大腦皮層的激活程度。設(shè)計(jì)了一款具有10通道且可覆蓋前額葉區(qū)域的可穿戴fN...

有機(jī)氟離子原位鈍化增強(qiáng)CsPbBr3納米晶體發(fā)光的熱穩(wěn)定性 摘要：鉛鹵鈣鈦礦納米晶體在光伏和發(fā)光器件領(lǐng)域擁有巨大潛力，然而熱猝滅效應(yīng)阻礙了材料從實(shí)驗(yàn)室到實(shí)際應(yīng)用的轉(zhuǎn)換。提出了一種在室溫條件下使用有機(jī)氟化物原位鈍化合成CsPbBr3納米晶體的方法，有效鈍化了表面缺陷，增強(qiáng)了發(fā)光的熱穩(wěn)定性。光致發(fā)光測試...
藍(lán)光LD激發(fā)pc-WLED的發(fā)光性能 摘要：為了提升白光LED的光源亮度，同時(shí)降低LED效率驟降的影響，采用了藍(lán)光LD激發(fā)pc-WLED的技術(shù)方案。研究了熒光陶瓷片與反射基板的關(guān)系，并分析了不同摻雜的熒光陶瓷片的性能。對熒光陶瓷片進(jìn)行封裝后，進(jìn)行了性能比較。最后，將不同摻雜的熒...
矩形陣列磁懸浮熱解石墨片光驅(qū)轉(zhuǎn)動的研究 摘要：研究了懸浮在矩形永磁鐵陣列上方的圓形熱解石墨片的光驅(qū)轉(zhuǎn)動。結(jié)合理論公式，用MATLAB計(jì)算得到永磁鐵陣列在懸浮高度為1 mm處的磁場分布。熱解石墨片的扭矩隨激光照射點(diǎn)旋轉(zhuǎn)角度、沿半徑不同距離和激光功率發(fā)生變化。用808 nm的激光照射...

極紫外光刻量產(chǎn)良率的保障：掩模版保護(hù)膜 摘要：當(dāng)前信息技術(shù)的快速發(fā)展，需要不斷擴(kuò)大高端芯片的產(chǎn)能和良率，以滿足當(dāng)下及未來對電子產(chǎn)品持續(xù)增長的需求。在高端芯片制造環(huán)節(jié)中的極紫外光刻過程中，任何落在掩模版上的納米尺度的顆粒污染，都會使曝光成像的圖案產(chǎn)生缺陷而降低光刻制程的良率，最終導(dǎo)...