極紫外光刻量產(chǎn)良率的保障：掩模版保護膜

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摘要：當前信息技術(shù)的快速發(fā)展，需要不斷擴大高端芯片的產(chǎn)能和良率，以滿足當下及未來對電子產(chǎn)品持續(xù)增長的需求。在高端芯片制造環(huán)節(jié)中的極紫外光刻過程中，任何落在掩模版上的納米尺度的顆粒污染，都會使曝光成像的圖案產(chǎn)生缺陷而降低光刻制程的良率，最終導致芯片制造成本的激增。因此，通過在掩模版上安裝“保護膜”這一物理屏障，可有效阻擋任何尺度的污染顆粒進入成像的焦平面內(nèi)，避免其對極紫外曝光成像質(zhì)量的不利影響，從而極大地提高芯片制造的良品率。（剩余18295字）