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通過鐵電柵極絕緣體和原子層沉積氧化物半導體通道，日本科學家制造了三維垂直場效應晶體管，可用來生產(chǎn)高密度數(shù)據(jù)存儲器件。此外，通過使用反鐵電體代替鐵電體，他們發(fā)現(xiàn)擦除數(shù)據(jù)只需要很小的凈電荷，從而提高了寫入的效率。發(fā)表在2022年IEEE硅納米電子研討會上的該項成果，將催生新的更小、更環(huán)保的數(shù)據(jù)存儲器。（剩余0字）
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科學家開發(fā)出三維垂直場效應晶體管
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