形變熱處理調(diào)控哈氏合金C276的晶界特征分布

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摘要：哈氏合金C276為層錯(cuò)能較低的面心立方金屬材料，適用于晶界工程技術(shù)，有可能通過(guò)控制晶界網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)一步提高其抗晶間腐蝕性能。基于晶界工程技術(shù)理念，研究了通過(guò)形變熱處理（TMP）來(lái)調(diào)控哈氏合金C276的晶界特征分布的工藝方法。結(jié)果顯示：經(jīng)過(guò)3%～7%冷軋和1150℃保溫10min處理后，C276合金中的低ΣCSL晶界比例達(dá)到70%以上，其中主要是Σ3晶界（孿晶界），形成了“由互為Σ3n取向關(guān)系的晶?！睒?gòu)成的大尺寸的晶粒團(tuán)簇，平均晶粒團(tuán)簇尺寸達(dá)到110μm以上，獲得了較好的晶界工程處理效果。（剩余12175字）