優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動
在高壓開關電源應用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET 可以實現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫茲)開關,但它們不能用于非常高的電壓(>1000 V)。而IGBT 雖然可以在高壓下使用,但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。(剩余3164字)
試讀結(jié)束
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- 電子產(chǎn)品世界
- 2023年04期
目錄
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