100 keV質(zhì)子輻照InGaAs單結(jié)太陽電池性能退化機理研究

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收稿日期：2021-11-23

基金項目：新疆電子信息材料與器件重點實驗室資助項目（2021D04012）；國家自然科學(xué)基金（61534008）

通信作者：瑪麗婭·黑尼（1987—），女，博士、助理研究員，主要從事光電器件輻射效應(yīng)方面的研究。maliya@ms.xjb.ac.cn

DOI：10.19912/j.0254-0096.tynxb.2021-1458 文章編號：0254-0096（2023）05-0146-06

摘 要：為研究太陽電池光電參數(shù)由低能質(zhì)子輻照產(chǎn)生的輻射損傷機制，對In0.53Ga0.47As單結(jié)太陽電池開展100 keV 質(zhì)子輻照及退火試驗研究，分析太陽電池電參數(shù)和光譜響應(yīng)在輻照及退火前后的變化規(guī)律，結(jié)合SRIM仿真計算結(jié)果對輻照引起的位移損傷進行討論。（剩余11628字）