金剛石納米切削單晶GaN的刀具角度影響研究

打開文本圖片集

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）具有寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率以及高電子飽和速率[1-2]，適用于制造高溫、高頻以及大功率器件，在發(fā)光二極管（LED）、高功率和高頻率電子器件中有著廣泛的應(yīng)用[2-5]。由于位錯(cuò)、相變等缺陷會(huì)嚴(yán)重影響器件工作性能，因此優(yōu)質(zhì)GaN器件必須具備極高的表面完整性。

以金剛石顆粒為切削工具的納米切削技術(shù)可獲得優(yōu)質(zhì)低損的復(fù)雜表面，被廣泛應(yīng)用于自由曲面和高精度復(fù)雜曲面加工[6-10]。（剩余28150字）