基于開通延時(shí)變化的多芯片IGBT 模塊部分芯片失效監(jiān)測(cè)方法

打開文本圖片集

摘要：多芯片絕緣柵極雙極型晶體管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）模塊被廣泛應(yīng)用于大功率變換器中，對(duì)其進(jìn)行狀態(tài)監(jiān)測(cè)可以有效提高電力設(shè)備可靠性。文中提出了一種基于開通延時(shí)變化的多芯片IGBT 模塊部分芯片故障檢測(cè)方法，分析了芯片失效對(duì)開通過程的影響，指出了芯片失效與開通延時(shí)的關(guān)系，基于開通延時(shí)與失效芯片數(shù)的映射關(guān)系提出了對(duì)應(yīng)的故障監(jiān)測(cè)方法，并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了方法的有效性。（剩余14157字）