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中圖分類(lèi)號(hào)：TG580 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A
Abstract：The mechanismof nano-grinding of single crystal silicon carbide（SiC）with lattice defects remains unclear.A molecular dyna（剩余13956字）
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考慮晶格缺陷的單晶4H-碳化硅納米劃擦過(guò)程分子動(dòng)力學(xué)仿真研究
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