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摘 要：針對(duì)采用原子層沉積（ALD）工藝制備的Al2O3薄膜對(duì)TOPCon太陽(yáng)電池電性能的影響進(jìn)行了研究。研究結(jié)果顯示：1）空間型沉積方式下制備得到的Al2O3薄膜厚度為9 nm時(shí)與時(shí)間型沉積方式下制備得到的Al2O3薄膜厚度為5 nm時(shí)得到的TOPCon太陽(yáng)電池隱開路電壓相同；且當(dāng)兩種沉積方式得到的Al2O3薄膜鈍化效果相當(dāng)時(shí)，制備得到的TOPCon太陽(yáng)電池的電性能也無明顯差異。（剩余8970字）
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原子層沉積工藝對(duì)TOPCon太陽(yáng)電池電性能的影響研究
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