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摘 要：以異質(zhì)結（HIT）太陽電池的本征氫化非晶硅薄膜為研究對象，該HIT太陽電池采用n型硅片作為晶硅襯底，其n型電子傳輸層（下文簡稱為“n面”）為入光側，p型空穴傳輸層（下文簡稱為“p面”）為背光側。首先研究了n面和p面本征氫化非晶硅薄膜的厚度對膜層鈍化性能和光透過率的影響，然后進一步研究了n面和p面本征氫化非晶硅薄膜不同厚度匹配設計對HIT太陽電池電性能的影響，并選出了最優(yōu)厚度匹配方案。（剩余11126字）
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本征氫化非晶硅薄膜厚度對其鈍化性能和HIT太陽電池電性能的影響
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