低維電子材料的理論設(shè)計與性能調(diào)控研究

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[摘 要]文章首先闡述了低維電子材料的基本框架理論，其中主要包括單電子近似理論與Hartree-Fock方程的發(fā)展與應(yīng)用。而后解讀分析了點(diǎn)缺陷、線缺陷對低維電子材料晶格結(jié)構(gòu)與性能的影響。最后以二硫化鎢（WS2）片層材料與墨相氮化碳（g-c3n4）的設(shè)計性能調(diào)節(jié)為例，分別從低維平行應(yīng)力與化學(xué)修飾兩個要素層面，分析了與低維電子材料設(shè)計功能實(shí)現(xiàn)與性能調(diào)控有關(guān)的問題。（剩余5518字）